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n-GaN/p-GaN/u-GaN Wafer

Waferエピタキシャル成長法により作製したn-GaN、p-GaN、u-GaNを製造し、ご提供しております。
その他、pn-GaN・pin-GaN等のダイオード構造やInGaN・AlGaNなど、ご要望の構造にて製作可能です。詳しくは、こちらのページより担当者までお問合せください。

Substrate materials for MOCVD

製品仕様

Epi wafer diameter 2 inch
Epi layer GaN
Thickness of GaN epilayer 2-10
Structure of GaN epilayer Wurtzite
Orientation of GaN layer (0001)
Conductivity N-type
P-type
undoped-type
Surface as grown
Substrate Sapphire
Substrate orientation (0001) on-axis

*バッファ層はご指定いただけません。

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