以下に試作時及び量産時のµUV LEDチップ仕様例を示します。
<試作チップ仕様例>
・チップサイズ： 16µm×48µm
・チップ間距離： 縦10µm/横30µm
・チップ面積（チップサイズ+チップ間距離）： 2,208µ㎡
・4インチウエハの有効面積： 6,936,260,000µ㎡
・4インチウエハ内のチップ数： 3,141,422個
試作チップ（16µm×48µm）
<量産チップ仕様例>
・チップサイズ： 12µm×24µm
・チップ間： 縦5µm/横5µm
・チップ面積（チップサイズ+チップ間距離）： 493µm²
・4インチウエハの有効面積： 6,936,260,000µm²
・4インチウエハ内のチップ数： 14,069,492個
量産チップ（12µm×24µm）
⇒チップ取れ数は、試作時の 約4.5倍
⇒1チップ当たりの製造コスト 約1/4.5
歩留まりを向上させるためには、ウエハの結晶欠陥及びパーティクルを減らす必要があります。下記画像のように、エピタキシャル層内部には転位と呼ばれる結晶欠陥が存在し、転位が多いとリーク電流の増加による電気特性不良、発光再結合が減少する事による発光効率の低下を招きます。またパーティクルは外観不良、電気特性不良を引き起こします。
歩留まりを向上させるために、成長パラメータの最適化による転位低減、作業環境及び作業方法の見直しによるパーティクルの低減に取り組んでいます。
欠陥の種類(左:エピタキシャル層内部の欠陥、右:エピウエハ表面欠陥)
最終的にレーザーリフトオフ（LLO）を行い、下図のようにµUV LEDチップをサファイア基板から剥がします。現在、LLOを用いた転写率は約99.995%です。
LLOによるµUV LEDチップの転写
画像：株式会社ブイ・テクノロジー提供
